Galvanische Abscheidung von Aluminium fur die Mikrosystem- und Leiterplattentechnik

摘要

In diesem Beitrag wird die galvanische Abscheidung von Aluminium (Al) auf Leiterplatten- und Siliziumsubstraten dargestellt. Diese Schichten sollen als Leiterbahn- und Bondstrukturen, sowie als Ausgangsmaterial fur die Herstellung von Aluminiumoxidmembranen dienen. Die Vorteile des Al als offenliegende Metallisierung liegen in der direkten Draht-bondfahigkeit ohne den Einsatz von Edelmetallen sowie der Selbstpassivierung.