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【24h】

超音速フリージェットPVDによるオキシフッ化イットリウム膜の特性評価

机译:超声波自由喷射PVD氧氧氧化钇氧化钇的表征

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摘要

半導体製造過程ではプラズマエッチング技術が多用されており,プラズマ腐食による装置内壁や部材の損傷を防ぐため耐プラズマ性を有するイットリア(Y_2O_3)皮膜が保護膜として用いられている.しかし,近年適用されてきているフッ素系ガスによる高密度プラズマの保護では,Y_2O_3膜を超える優れたプラズマ耐食性を示す新素材の模索が検討されてきている.オキシフッ化イットリウム(YOF,Y_5O_4F_7)はフッ素系ガスに対して安定であるため,フッ素系ガスによるプラズマ腐食に対する保護材料として注目されてきている.
机译:在半导体制造工艺中,血浆蚀刻技术被广泛使用,并且具有等离子体电阻的ytTRIA(Y_2O_3)膜用作保护膜,以防止由于等离子体腐蚀而损坏内壁或构件。然而,在近年来应用的氟基气体保护高密度等离子体中,研究了研究表现出优异的等离子体耐腐蚀性超过Y_2O_3薄膜的新材料。由于氧基氯化钇(YOF,Y_5O_4F_7)对氟基气体稳定,因此它引起了通过氟基气体腐蚀等离子体腐蚀的保护材料。

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