CMP におけるポリシング界面の摩擦およびスラリー流れの現象解析

摘要

近年，半導体デバイスの微細化が進行するにつれ，素子上に存在する凹凸マージンは露光装置の光学系による焦点深度の許容値（数100nm以下）の制約から年々厳しくなっている．そのため,平坦化プロセスCMP(Chemical Mechanical Polishing)に対する要求性能も高くなり，量産レベルで実用化させるためには，ウェハ表面の平坦性や面内均一性の確保が必要となってくる．しかし，現在CMP は、プレストンの経験則に従って研磨条件を設定している。CMP におけるポリシング界面には、ウェハ‐ポリシングパッド間の摩擦、ウェハ面下のスラリー流れ、被研磨面に発生する熱など未解明な現象が多く存在している。これら現象を体系的に解析する必要がある。そこで本研究では、ポリシング界面の摩擦およびスラリー流れの現象解析を行ったので報告する。