Mode-Locked High-Power Surface-Emitting Semiconductor Laser

机译：模式锁定的高功率表面发射半导体激光器

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We report an optically pumped surface-emitting semiconductor laser which is passively mode-locked and generates 1.9 W of average power in 27-ps pulses at 0.96μm. The maximum diffraction-limited continuous-wave output is 4.4 W.

机译：我们报道了光学泵浦的表面发射半导体激光器，其被动地锁定，并在0.96μm的27-ps脉冲中产生1.9W的平均功率。最大衍射限制的连续波输出为4.4W。

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来源
《Conference on Lser and Electro-Optics Europe》|2003年||共1页
会议地点
作者
A. Aschwanden; D. Lorenser; R. Haring; R. Paschotta; E. Gini; U. Keller;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TN2-53;
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