Hochintegration von Ladungspumpenarchitekturen in Hochvolt-CMOS-Technologien

摘要

Akkubetriebene Mobilgerate mit geringen Betriebsspannungen enthalten vermehrt komplexe SoCs (System-on-Chip), die Hochspannung erfordern. In vorherigen Arbeiten wurde eine innovative 4-Phasen Ladungspumpe entwickelt und in zwei CMOS-ASICs erfolgreich implementiert. Aufbauend darauf werden im Folgenden verschiedene Methoden zur Hochintegration der Ladungspumpe, wie z.B. Erhohung der Taktfrequenz, Optimierung der Treiberstufen sowie eine geeignete Wahl der Strukturgrosse behandelt. Alternativ zur konventionellen CMOS-Technologie werden ausserdem SOI und 3D-Integration hinsichtlich der Integrationsdichte betrachtet.