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【24h】

Spectral Photoresponse Of ZnSe/GaAs(001) Heterostructures With CdSe Ultra-thin Quantum Well Insertions

机译:ZnSe / GaAs(001)异质结构的光谱光响应,具有CDSE超薄量子井插入

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摘要

We present a study of the spectral photoresponse (SPR) of ZnSe/GaAs(001) heterostructures for different ZnSe film thickness with and without CdSe ultra-thin quantum well (UTQW) insertions. We observe a significant increase of the SPR of heterostructures containing 3 monolayer thick CdSe UTQW insertions; these results encourage their use in photodetectors and solar cells.
机译:我们介绍了ZnSe / GaAs(001)异质结构的光谱光响应(SPR),用于不同的ZnSe膜厚度,没有CDSE超薄量子阱(UTQW)插入。我们观察含有3个单层厚Cdse UTQW插入的异质结构的显着增加;这些结果鼓励他们在光电探测器和太阳能电池中使用。

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