机译:通过远程氧气清除侵蚀性SiGe通道栅极堆叠密封:门 - 首先PFET性能和可靠性
机译:锗预非晶化注入对SiGe沟道pFET中性能和栅极诱导的漏漏的影响
机译:物理气相沉积法制备的多晶硅/ TiN / HfSiON叠层增强了栅极优先的p沟道金属绝缘体-半导体场效应晶体管的性能
机译:通过远距离氧气清除进行积极的SiGe通道栅堆叠缩放:栅极优先的pFET性能和可靠性
机译:栅极堆叠和通道工程:金属栅极和锗通道器件的研究。
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET性能的影响
机译:具有HfSiOx / TiSiN栅堆叠的按比例缩放的SiGe pMOSFET的性能增强