Aktuelle Fortschritte bei MOS-gesteuerten Si-Leistungshalbleitern im Spannungsbereich bis 1200V

摘要

In den letzten Jahren konnten bei IGBTs und MOSFETs die um die Jahrtausendwende eingefuhrten grundlegenden Strukturmerkmale Trenchgate-Zelle und Feldstopp bzw. Kompensationsprinzip deutlich weiterentwickelt werden. Fortschritte in der Technologie zur Herstellung der Bauelemente ermoglichten bei Trench-IGBTs und Superjunction-MOSFETs einen reduzierten Zellabstand mit signifikant niedrigeren Durchlassverlusten und gleichzeitig verbessertes Schaltverhalten. Parallel treten Randbedingungen aus der Applikation als Hurden zur weiteren Verbesserung der Leistungsschalter und zur Reduzierung der Verluste immer deutlicher in Erscheinung.