Transiente Simulation von Teilentladungen in Feststoffen bei Mischfeldbeanspruchung

摘要

Der expandierende Markt fur HGU stellt neue Herausforderungen an die Isolierstoffe. Neben den herkommlichen Anforderungen an die Festigkeit der Feststoffe bei DC-Beanspruchung stellen die bei der Ubertragung entstehenden transienten Spannungen zusatzliche Anforderungen an das Dielektrikum. Die der Gleichspannung uberlagerten Frequenzanteile konnen in den festen Isolierstoffen zu TE-Aktivitaten fuhren. Die Entladungsintensitat unter Mischfeldbedingungen wird durch Betrag und Gradient der Feldstarken determiniert. Die Kavitatenabmessungen und die Eigenschaften der Isolierstoffe beeinflussen ebenfalls die Entladungsbildung. Die raumlichen und zeitlichen Entwicklungsphasen von Mikroentladungen in Feststoffen bei Mischfeldbeanspruchung werden hierzu dargestellt.