Das Diffusionsloten stellt eine neuartige Technologie fur die Chip-Substrat-Verbindung dar. Im Diffusionslot-Prozess wird das Lot komplett zu intermetallischer Phase legiert. Der Schmelzpunkt der resultierenden Phasen liegt deutlich uber der Betriebstemperatur der aktiven Bauteile. Er ist ebenfalls stark erhoht gegenuber dem Schmelzpunkt des Lots. Ausserdem besitzen die intermetallischen Phasen einen deutlich hoheren Elastizitatsmo-dul. Der Prozess wird sowohl fur das Kupfer-Zinn-System mit Einsatz in Leistungsmodulen als auch fur das Gold-Zinn-System fur das Loten auf Leiterplatten beschrieben. Ergebnisse von Zuverlassigkeitstests an solchen Modulen werden vorgestellt. Lastwechseltests mit aktivem Ein- und Ausschalten der Chips haben ergeben, dass die Bauteile mit dieser Verbindungstechnologie um eine Grossenordnung hohere Zyklenzahlen erreichen.
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