Untersuchung der Aktivierungseffekte durch DBD bei Atmospharendruck fur das Tieftemperatur-Direktbonden

摘要

Die dielektrische Barrierenentladung (DBD) kann in Silizium-Direktbondprozessen zu einer drastischen Reduzierung der erforderlichen Annealingtemperatur beitragen. Verschiedene Effekte, welche mit der direkten Einwirkung der Barrierenentladung auf die native Siliziumoxidoberflache in Verbindung stehen und zur Erklarung des Aktivierungseffektes beitragen konnen, werden in diesem Beitrag vorgestellt.