【24h】

Scaling behavior and negative gain of NAPD

机译:缩放行为和NAPD的负增益

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摘要

The size-dependent and lamination-dependent I-V curves of nano-multiplication-region avalanche photodiode (NAPD)were measured with the sized of 100nm, 200nm, 1μm, and 10|ìm. The gain increases with the decrease of themultiplication-region size and illumination power. These data indicate the NAPD possesses the advantages of high gainand high sensitivity. Negative gain was also found in this experiment.
机译:纳米倍增区域雪崩光电二极管(NAPD)的尺寸依赖性和层压依赖性I-V曲线用100nm,200nm,1μm和10 | M表示。随着Themultiplication区尺寸和照明功率的降低,增益增加。这些数据表明,NAPD具有高奖金高灵敏度的优点。在该实验中也发现了负增益。

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