Das Gebiet der bipolaren Leistungsschalter wird seit langem von den IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) dominiert. Es werden die gangigen Konzepte fur den Vertikalaufbau und die Transistorzelle vorgestellt. Neuere Entwicklungen zielen auf weitere Verringerung der Durchlass- und Schaltverluste durch Erhohung der Tragerdichte und Verringerung der Chipdicken, auf hohere Junction-Temperatur und weiter verbesserte Robustheit sowie auf gunstigeres Schaltverhalten. Ein weiterer Trend ist die Erhohung der Funktionalitat bis hin zum symmetrisch sperrenden bidirektionalen Schalter. Bei den unipolaren Schaltern werden die fur reale Superjunction-Bauelemente wesentlichen Faktoren diskutiert und neuere Herstellungsverfahren vorgestellt. Zum Schaltverhalten von IGBTs werden die generellen Struktureinflusse sowie erweiterte Ansteuermoglichkeiten untersucht.
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