3次元集積回路電極用Siマイクロ孔内側壁に超臨界流体を利用してCuを堆積した際の被覆特性の検討

摘要

3次元集積回路とは，集積回路チップを積層し相互にチップ貫通電極（配線）で接続するもので，デバイスの微細化技術に高負担をかけずに高速化匂高機能化を実現できると期待されている。チップはある程度（10～数十μm）の厚さを持つが，貫通電極径はより微細であるべきであるから，電極は高アスペクト構造体となる。電極の製造は，あらかじめエッチング加工された微細孔に金属を充填して行うのでト高アスペクト孔内部を埋め込みないし超被覆できる金属堆積技術が必要となる。しかし，蒸着法では陰影効果のため被覆性に限界があり，めっきは薬液が浸透しないと成膜が不可能である。