イオン、UV除去プラズマによるフォトレジストトリミング

摘要

半導体製造における微細化の発展は、光リソグラフィ技術の進歩によるものが大きい。しかし、光リソグラフィ技術発展による微細化は45nm世代が限界とされている。そこで、光リソグラフィ技術に左右されないDouble Patterning（DP）という新たな技術が研究されている。このDPの一つにSide Wall Transfer（SWT）というプロセスが研究されている。このSWTプロセスの例を図1に示す。SWTプロセスではプラズマ照射に上るフォトレジスト縮小工程（トリミング）がある。トリミング彼のフォトレジストの幅と高さは、それ　ぞれ図1⑤に示す3X mm以降の新　たな微細マスクのパターン間隔、高　さを大きく左右し、形状制御が重要である。