Ni_2MnGa粒子分散ポリマーコンポジットの磁場誘起ひずみに及ぼす主要因子と最大ひずみ量の微視力学モデル推算

摘要

これまで筆者らのグループでは、多結晶Ni_2MnGa合金をスタンピング破砕により単結晶状の粒子とし、エポキシやシリコーンゴムなどのポリマーをバインダーとして作製したコンポジットについて、磁場誘起ひずみ応答を調べているマトリックスであるポリマーそのものが"バイアスばね”として作用することで、磁場の印加·除去により繰り返し回復性を有するひずみ応答が実際に観測される。この点で通常の単結晶Ni_2MnGa合金とは異なり、アクチュエータとして重要な機能が内包されていると音える。しかし、ひずみ急については著しく小さく、飽和レベルで高々数十ppm程度が現状である。こうした状況のもとで、療記コンポジットの磁場誘起ひずみ応答に関するモデル解析も試みており、昨年の秋期大会で発表した。その解析を更に発展させ、表題の事項にって具体的な定盈解析を行う。