MO観察による非対称な人工ピンを導入した超伝導Nb膜の磁束ピンニング特性の評価

摘要

本研究では、測定温度を変化させ、MOイメージング法で、非対称なステップ溝状人工ピンの導入により磁束の出入りが非対称になることを明らかにするとともに、増磁過程のMO観察像を用いて、試料内部に侵入した磁束の幅より試料の臨界電流密度を近似的に求めた。