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An InGaAs/InP photodiode with 600 mW RF output power

机译：具有600 MW RF输出功率的InGaAs / InP光电二极管

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We report an InGaAs/InP charge compensated uni-traveling-carrier photodiode with thick depletion region with RF output power of 600 mW at 2 GHz.

机译：我们报告了InGaAs / InP电荷补偿了Uni行驶载波光电二极管，厚的耗尽区域，RF输出功率为600mW，在2 GHz。

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来源
《LEOS Topical Meetings》|2006年||共2页
会议地点
作者
Ning Duan; Ning Li; Demiguel S.; Campbell J.C.;
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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类自动化技术、计算机技术;
关键词
III-V semiconductors; charge compensation; gallium arsenide; indium compounds; microwave photonics; photodiodes; 2 GHz; 600 mW; InGaAs-InP; InGaAs/InP photodiode; charge compensation; thick depletion region;

机译：III-V半导体;电荷补偿;砷化镓;铟化合物;微波光子学;光电二极管;2 GHz;600 MW;Ingaas-Inp;Ingaas / InP光电二极管;电荷补偿;厚耗料区;

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