定在波シフトによる半導体ウエハ表面の超解像光学式欠陥検査（第5報）－定在波照明の2方向シフトを用いた2次元超解像特性の検討

摘要

我々は，半導体欠陥計測を高解像性，非破壊性，高スループット性のもとで行うために，定在波照明をシフトさせることによる超解像光学式検査方法を提案し開発している．この方法は，PZT を用いて2 光束干渉による定在波照明パターンをナノオーダでシフトさせ，複数の光散乱像を取得する．複数像に対して計算機による後処理を加えることで，定在波照明の高周波情報を解像結果に反映させ，レイリー限界を超えた解像を行うというものである．これまでに，理論解析および計算機シミュレーションによる解像特性および欠陥検出特性を検討し．標準粒子を用いた離散的なサンプルやライン＆スペースパターンを対象として解像特性の実験的検討を行っている．前報までは、1次元モデルでの超解像特性の評価をしていたが、本報では2次元の超解像のシミュレーションを行いその解像特性を検討する．