微小電極間隔の光学計測

摘要

半導体プロセスを応用してシリコン基板上に微細加工を施したセンサやアクチュエータが実用化され始めている。自動車においても、半導体加工技術の利用·回路の集積化により小型化·低コスト化が図れるなどの特徴を生かして半導体センサが搭載されている。これらの微細な構造体の微小な面内静的変位をnmオーダの精度で計測するには、計測基準位置を高精度で検出する必要があり、これを簡便に計測できる技術はほとhど見られない。本報では、照射したレーザ光の反射光量変化を検出することにより、変位を高精度で計測する手法について検討を行なったので報告する。