机译:矿物中B的平行电子能量损失谱(PEELS)研究B K边缘的电子能量损失近边缘结构(ELNES)
机译:GaN和InN多晶型物的L_3 X射线吸收近边缘结构(XANES)和电子能量损失近边缘结构(ELNES)的第一性原理计算
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机译:边缘结构附近电子能量损失建模技术的相对优点比较
机译:从金属,金属间合金和纳米晶体材料中的K,L(23)和M(45)边缘得出的温度相关的扩展电子能量损耗精细结构测量结果。
机译:高分辨率电子显微镜电子能损光谱X射线粉衍射和电子对分布函数的非晶二氧化硅纳米结构的微观结构研究
机译:晶体结构对三价钴氧化物Co-L-2,L-3 X射线吸收近边缘结构和电子能量损失近边缘结构的影响
机译:Be(2)C的电子能量损失近边结构