机译:使用CPM和SCLC技术表征在13.56 MHz和27.12 MHz产生的多晶硅薄膜的状态密度
机译:压力对粘接环境和载体传输的A-Si:H薄膜使用27.12MHz辅助PECVD工艺
机译:使用13.56 MHz PECVD微晶硅的顶栅TFT
机译:PECVD在27.12 MHz和13.56 MHz下在大面积反应堆中生产的多晶硅膜
机译:印刷螺旋线圈设计,实施和优化13.56 MHz近场无线电阻模拟被动(包装)传感器
机译:使用多层推挽式等离子体源的VHF(162 MHz)-PECVD用于柔性有机电子设备的氮化硅沉积
机译:27.12MHz等离子体增强化学气相沉积沉积的无定形硅薄膜中光生殖和重组的模拟与实验研究
机译:射频(13.56 mHz)能量增强温和低温的复温。