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Bulk inversion in FinFETs and the implied insignificance of the effective gate width

机译：FINFET的批量反转和有效栅极宽度的隐含无足轻重

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Three- and two-dimensional numerical simulations of double-gate (DG) and triple-gate (TG) FinFETs having undoped thin bodies have revealed the significance of bulk-inversion current in I/sub on/, as well as I/sub off/, and the consequent insignificance of the commonly defined effective gate width in comparisons of DG and TG currents.

机译：具有未掺杂的薄体的双栅极（DG）和三栅极（TG）FinFET的三维数值模拟已经揭示了I / SUP ON /，以及I / SUP中的批量反转电流的重要性/，并且随后的常用有效栅极宽度与DG和TG电流的比较中的常用有效栅极宽度的微不足道。

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来源
《IEEE International SOI Conference》|2004年||共3页
会议地点
作者
Kim S.-H.; Fossum J.G.; Trivedi V.P.;
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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类自动化技术、计算机技术;
关键词
field effect transistors; semiconductor device models; triple gate FinFET; double gate FinFET; effective gate width; three-dimensional numerical simulation; two-dimensional numerical simulation; undoped thin bodies; bulk inversion current;

机译：场效应晶体管;半导体器件型号;三栅极FinFET;双栅极FinFET;有效栅极宽度;三维数值模拟;二维数值模拟;未掺杂的薄体;批量反转电流;

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