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Bulk inversion in FinFETs and the implied insignificance of the effective gate width

机译：FinFET中的批量反转和有效栅极宽度的隐含意义不大

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Three- and two-dimensional numerical simulations of double-gate (DG) and triple-gate (TG) FinFETs having undoped thin bodies have revealed the significance of bulk-inversion current in I/sub on/, as well as I/sub off/, and the consequent insignificance of the commonly defined effective gate width in comparisons of DG and TG currents.

机译：具有未掺杂薄体的双栅极（DG）和三栅极（TG）FinFET的三维三维模拟表明，I / sub on /以及I / sub off中的体相电流非常重要，因此，在比较DG和TG电流时，通常定义的有效栅极宽度的意义不大。

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来源
《》|2004年|p.145-147|共3页
会议地点
作者
Kim; S.-H.; Fossum; J.G.; Trivedi; V.P.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
field effect transistors; semiconductor device models; triple gate FinFET; double gate FinFET; effective gate width; three-dimensional numerical simulation; two-dimensional numerical simulation; undoped thin bodies; bulk inversion current;

机译：场效应晶体管;半导体器件模型;三栅极FinFET;双栅极FinFET;有效栅极宽度;三维数值模拟;二维数值模拟;未掺杂的薄体;体反转电流;

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