III-V semiconductors; electroluminescence; gallium compounds; indium compounds; light emitting diodes; optical design techniques; semiconductor epitaxial layers; semiconductor growth; InGaN-GaN; LED; epitaxial growth temperature tuning; quantum structures; semiconductor quantum design;
机译:GaN / GaN发光二极管中(0001)取向的蓝色和紫色的极化电致发光侧发射的温度依赖性
机译:随温度变化的电致发光,在硅衬底上不同超晶格生长温度的InGaN基绿色LED的效率下降
机译:在外延横向生长的GaN上生长的基于UV /蓝/绿InGaN的LED和激光二极管
机译:基于Ingan / GaN的LED,具有紫色,蓝色和绿色的电致发光,由外延生长温度调整
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:尺寸依赖性电致发光和蓝色Ingan / GaN细胞的电流电压测量到亚微米刻度
机译:通过外延生长温度调节紫,蓝和绿电致发光的InGaN / GaN基LED