机译:NH_3等离子体处理的HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的零界面偶极感应阈值电压漂移
机译:通过原位RTCVD工艺制备的双高k栅极介电叠层(poly-Si-HfO / sub 2 / -SiO / sub 2 /)的特性和可靠性
机译:低温制备具有SiO_2 / HfO_2双层栅介质的非晶InGaZnO薄膜晶体管
机译:低温NH3处理对MOCVD法制备HfO2 / SiO2叠层栅介质的影响。
机译:AL的制造:HFO2栅极电介质MOSFET
机译:HfO2 / SiO2叠层隧道电介质的SiN薄膜中离子注入能量对Ge纳米晶体合成的影响
机译:HfO2 / SiO2 / SiC栅介质堆叠的能带对准。 ud