integrated circuit metallisation; integrated circuit bonding; lead bonding; ageing; copper alloys; gold alloys; aluminium; intermetallic growth; copper ball bonds; gold ball bonds; aluminium metallization; intermetallic coverage; intermetallic phase; Cu-Al IP growth; Au-Al IP growth; wire diameter; high power devices; pin count; copper wire bonding processes; isothermal aging; 35 to 50 micron; 25 micron; CuAl; AuAl;
机译:在175 A摄氏度下退火的铝键合焊盘上2N金线球键合的金属间生长动力学
机译:键合线和环氧模塑化合物对电子包装中金和铜球键金属间生长动力学的影响
机译:热老化时金和铜球键合金属间化合物形成的分析
机译:铝金属化过程中铜和金球键金属间化合物的生长特征
机译:在接近共晶的锡银铜焊料合金与金/镍金属化的界面处,金属间的形成和生长动力学。
机译:Ti / Al金属间金属薄板中TiAl3金属间相的形核与生长
机译:175°C时效的金球键合金属间化合物的生长:两种化学性质不同的4N线的比较