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【24h】

Ultraviolet Exposure Activated Oxidation of Silicon Carbide

机译:紫外线暴露活性氧化碳化硅

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摘要

In present work we have described the influence of activated oxygen particles on oxidation speed of silicon carbide (SiC). It is stated that in comparison with usual oxidation, oxidation speed with use of ultraviolet exposure is increased in 1,3 times. The mathematical model of silicon carbide oxidation is investigated.
机译:在目前的工作中,我们描述了活性氧颗粒对碳化硅(SiC)氧化速度的影响。据说与常用氧化相比,使用紫外线暴露的氧化速度在1,3次增加。研究了碳化硅氧化的数学模型。

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