Dielectric breakdown; Self-healing; Metallized film; Inter-layer pressure;
机译:金属箔上生长的反铁电Pb0.92La0.08Zr0.95Ti0.05O3薄膜电容器的漏电流特性和介电击穿
机译:具有HfLaO和HfZrLaO超薄栅极电介质的金属氧化物半导体电容器的时间相关介电击穿(TDDB)特性
机译:$ hbox {Al} _ {2} hbox {O} _ {3} $掺杂的$ hbox {ZrO} _ {2} $高介电常数介电体的导电机理及击穿特性–金属电容器
机译:层间压力对电容器应用金属化聚合物薄膜介电击穿特性的影响
机译:用于薄膜电容器的聚合物样氢化碳的合成及双不同电介质对高能密度应用电容器电性能的影响
机译:BaTiO3填料的粒径对电容器储能应用BaTiO3 /聚合物/ Al薄膜的制备和介电性能的影响
机译:薄膜厚度和电极面积对金属化电容膜介电击穿特性的影响
机译:用于航空动力调节电容器应用的高温聚合物薄膜电介质