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Industrial evaluation of stress combinations for march tests applied to SRAMs

机译:3月试验的应力组合的工业评估应用于SRAM

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摘要

This paper presents the results of ten well-known memory test algorithms and four memory test primitives applied to 3876 256Kbit SRAM chips, using 128 different stress combinations with each test algorithm. The results show that stresscombinations influence the coverage of the test algorithms for these SRAMs, and that the influence is less for these SRAMs than for DRAMs. Selecting the right stress combination allows for using a simpler algorithm. The simple memory test primitives candetect all faults given the proper stresses. Power supply voltage turns out to be a very important non-algorithmic stress.
机译:本文介绍了十个众所周知的记忆试验算法和四个存储器原语的结果,应用于3876 256Kbit SRAM芯片,使用128种不同的应力组合,每个测试算法。结果表明,应力结合影响了这些SRAM的测试算法的覆盖范围,并且对这些SRAM的影响较少而不是DRAM。选择右应力组合允许使用更简单的算法。简单的内存测试原语念珠菌给出了适当的应力。电源电压变出是一个非常重要的非算法应力。

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