PZN-PT; domain engineering; manganese; piezoelectric; single crystal;
机译:001 c极掺杂Mn的0.24PIN-0.46PMN-0.30PT三元单晶具有高机电耦合系数的压电振子的模式耦合效应与温度的关系
机译:[110]〜L×[001]〜T cut的畴工程弛豫单晶的推导性质矩阵:畴壁贡献和畴-域相互作用的影响
机译:[001] C PIN–PMN–PT单晶的机电性能和场致相变的成分依赖性
机译:Mn掺杂对域设计的单晶机电性能的作用
机译:缩小<001> c纹理PMN-PT陶瓷和单晶之间的性能差距
机译:单畴和多畴0.72Pb(Mg1 ∕ 3Nb2 ∕ 3)O3-0.28PbTiO3单晶的机电性能和各向异性
机译:110(L)x 001(T)切割的畴工程弛豫单晶的推导特性矩阵:畴壁贡献和畴-域相互作用的影响