C-axis-tilted ZnO film; Quasi-shear electromechanical coupling coefficient; RF magnetron sputtering technique;
机译:由ZnO薄膜制成的厚度扩展模式薄膜体声波谐振器的基本模式的有效机电耦合系数(kt(2))
机译:镁掺杂水平和退火温度引起的高c轴取向ZnO:Mg薄膜和Al / ZnO:Mg / p-Si / Al异质结二极管的结构,光学和电学性质
机译:Mg掺杂水平和退火温度诱导高度C轴取向ZnO:Mg薄膜和Al / ZnO:Mg / P-Si / Al异质结二极管的结构,光学和电性能
机译:高度取向的C轴23°倾斜ZnO膜,具有高准剪切模式机电耦合系数
机译:超厚C轴取向钡铁氧体薄膜的形貌,结构和物理性能。
机译:在高浓度KOH溶液中生长的具有大机电耦合系数的水热合成PZT膜用于谐振器
机译:脉冲激光沉积在高透明c轴取向ZnO薄膜上的低温生长
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)