エンチオール反応により紫外線重合させた有機薄膜トランジスタ用 ポリシルセスキオキサンゲー卜絶縁膜

摘要

われわれは、耐熱性の低い汎用プラスチック基板上でも重合可能なゲート絶縁膜として、紫外線重合 可能なPolysilsesquioxane (PSQ)を検討している。紫外線重合にはビニル反応が良く用いられるが、 炭素-炭素二重結合を開裂するために電子吸引性の大きなカルボニル基を有する低分子架橋剤を加える 必要がある。しかし、カルボニル基は大きな双極子モーメントを持つためにクーロン相互作用により、 有機薄膜トランジスタ(OTFT)のキャリア移動度を低下させてしまう欠点がある。そこでわれわれはビ ニル反応の替わりにエンチオール反応を用いたPSQの重合を検討している。今までは、3-メタクリロ キシプロピル基を側鎖に有するPSQ(Table 1のPSQ-1)を用いていたが、本研究では、エンチオール反応 に適したPSQとしてFig. 1(a)に示す3-メルカプトプロピル基を側鎖に持つPSQ-2を合成した。また、Fig. 1(b)に示すカルボニル基を有していない低分子架橋剤としてPentaerythrityl tetraallyl ether (PETAE)を用い、 それらをゲート絶縁膜材料に用いた結果について報告する。