InGaN 赤色LED (I) 面内残留応力依存性

摘要

GaN下地層の厚みの違いによって面内の残留応力を変化させた上にInGaN赤色LEDを成長し、その特性を比較した。20 mA 注入時に、発光波長は635±2 nm に統一するように各InGaN 発光層を調節してある。LED チップサイズは400 m 角である。残留圧縮応力が小さくなるにつれて、光出力は向上した。本実験の範囲では20 mA 注入時（印加電圧3.3 V）の光出力は0.64 mW, EQE1.6%, WPE 1.0%であった。