3層構造4H-SiC基板に形成したイオン注入層の非接触・非破壊電気特性評価

摘要

我々のグループではこれまで THz-時間領域分光エリプソメトリー(以下、THz-TDSE)を用いて4H-SiCの高濃度Pイオン注入層について非接触・非破壊で電気特性評価が可能であることを報告してきた[1]。本研究では、実用デバイスで使用されるn-SiC基板/SiCバッファ層/SiCエピ層の3層構造を有した4H-SiCウエハに対してイオン注入を行い、THz-TDSEを用いて電気特性評価を行うことを目指している。今回はAs-Implantation試料をTHz-TDSEを用いて電気特性を評価した。