多層の原子層物質の電気伝導測定のための多層グラフェン電極の形成

摘要

近年原子層物質を用いた電子デバイスが注目を集めている。原子層物質へのコンタクトの取り方には原子層物質の上に電極を接続するトップコンタクト(TC)と電極の上に原子層物質を載せるボトムコンタクト(BC)の2 種類の方法があるが、多層の原子層物質の場合ではコンタクトの取り方によって電子デバイスの性能の指標である移動度μ_(E)に差が出ることが知られている。移動度を大きくするためにはBC でかつコンタクト抵抗を低くする必要がある。本研究ではコンタクト抵抗が小さくなると期待される多層グラフェン(MLG)電極を用いたBC 形成手法を確立し、その有効性を示した。