歪フリーなPb(Zr_xTi_(1-x))O_3薄膜の作製法の検討

摘要

【緒言】 Pb(Zr,Ti)O_3（PZT）は組成相境界(MPB)で特に高い圧電性を示すことが知られているが、その圧電性の本質的な起源についてはまだ多くの議論が続けられている。その一因として単結晶の育成が困難であることがあげられる。一方、エピタキシャル膜を用いる場合では基板からの拘束など外的要因が加わる可能性がある。しかしMPB近傍組成のPb(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3 と格子定数が近い、MgAl2O4やSr(Zr0.65,Ti0.35)O_3/SrTiO_3 (SZTO/STO)を基板として用いることで歪フリーなPZT膜を作製可能であると期待される1。そこで本発表では、これらの基板を用いた場合に膜にかかる歪みや得られた膜のドメイン構造を検討する第一歩として、複雑なドメイン構造が予想されるMPB近傍組成ではなく、正方晶のPb(Zr0.3,Ti0.7)O_3を上記基板上に作製し、格子歪から予想されるドメインが形成されるかをまず調査した。