電極電位制御による抵抗保持特性の改善

摘要

【序論】これまで, IL-CBRAMの電気特性の評価について報告してきた[1]. IL-CBRAMとは, 導電性ブリッジメモリ(CBRAM)のメモリ層に人工的に制御された細孔を導入し, そこにイオン液体(IL)を閉じ込めた素子である. IL-CBRAMは動作電圧のばらつきの低減などの利点がある一方, 低抵抗状態(LRS)の抵抗保持特性に課題があることがわかった. 我々はこの問題がフィラメントのガルバニック腐食により引き起こされると考えた. ガルバニック腐食とは溶媒の存在下において電極電位(EP)の異なる2種類の金属を接触させることで, EPの低い金属の酸化溶出(腐食)が進行する現象である. 今回, このガルバニック腐食の影響を考慮して, 密着層のTaの膜厚をこれまでの1 nmから5 nmに変更することで抵抗保持特性の改善が見られたので, その成果について報告する.