STT-MRAMのメモリ性能向上に向けた技術課題について

摘要

磁界書き込み型MRAMは信頼性が高い反面、多くの電力を消費することが課題であった。これに対して、スピン注入書き込み型MRAM (STT-MRAM) は著しい低消費電力化を実現し得ることから、その開発及び製品化に注目が集まり、各社での精力的な研究開発が進められてきた。その結果、既にSTT-MRAMチップの出荷が始まっており、半導体業界では、STT-MRAMはもはや「将来」のメモリではなく、「現在」のメモリと認識されるようになった。