長方形断面を有するSnナノワイヤにおける電子状態の断面サイズおよび方位依存性

机译：用矩形横截面SN纳米线在SN纳米线中的横截面尺寸和取向依赖性

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短チャネル効果によるリーク電流増大への解決策として, ナノワイヤ (NW) FET に注目が集まり研究が行われてきた. NWFETの動作特性を把握するためには, チャネルとなるNWの電子状態の理解が必須となる. NW の材料として, 移動度の高い GeSn は有力候補の一つであるが, GeSn NWおよびその構成元素の一つであるSnのNWの電子状態についての研究は少ない[1].

机译：由于漏极电流由于短的通道效应而增加，在纳米线（NW）FET中已经实现了注意。该研究已经进行了。为了掌握NWFET的操作特性，了解电子状态的理解NW是作为NW材料的沟道，具有高流动性的GESN是领先的候选者之一，但是对SN的NW电子状态几乎没有研究，Gesn NW之一及其组成元素[1]。

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《》||12.136-12.136|共1页
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佐藤瑞起; 田中一; 木本恒暢;
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