フォトニック結晶共振器の形成と共振器上の量子ドットの発光特性に関する研究

机译：光子晶体谐振器的形成及谐振器上量子点的发射特性研究

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MMGeを用いてSi基板上に形成したGe量子ドットからの発光強度の増大を目指してフォトニック結晶共振器の作製を行った.電子線リソグラフィー技術を用いてSOI基板にフォトニック結晶共振器を作製した.薄いトップSi層と埋め込み酸化層への正確なフォトニック結晶共振器の形成を目指し，ドライエッチングにおけるイオンドーズ量等の最適化を行った.作製した共振器上にPbS量子ドットを塗布し発光の観測を行った結果，フォトニック結晶のエアホール径による発光強度や半値幅の変化を観測した.

机译：我们制造了一个光子晶体谐振器，目的是提高使用MMGe形成在Si衬底上的Ge量子点的发射强度;我们使用电子束光刻技术在SOI衬底上制造了一个光子晶体谐振器，并优化了离子剂量。为了在薄的顶部硅层和嵌入的氧化物层上形成精确的光子晶体谐振器而进行的干法刻蚀，将PbS量子点施加到准备好的谐振器上，观察发光的结果，发光强度发生变化，半价观察到由于光子晶体的气孔直径引起的宽度变化。

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来源
《マグネティックス研究会》|2018年|69-74|共6页
会议地点
作者
松冨俊貴; 林　武司; 高松良春; 田中久仁彦; 安井寛治;
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作者单位

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关键词
量子ドット; フォトニック結晶; PL;

机译：量子点;光子晶体; PL;

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