SiCパワーMOSFETのMHzスイッチング向けゲートドライバの検討

摘要

近年、電力変換回路のパワーデバイスとして、SiC (炭化 ケイ素）やGaN (窒化ガリウム）などのワイドギャップ半 導体材料が注目されている。ワイドギャップ半導体は、従 来のSi (シリコン）と比較して絶縁破壊強度、飽和電子速 度、熱伝導率などの物性値が優れている。そのため、ワイ ドギヤップ半導体を用いたパワーデバイスは高耐圧、低オ ン抵抗、高温度差、高速動作を実現できる。図1に、パ ワーデバイスの適用範囲を示す。SiCパワーデバイスを用 いた電力変換回路は、電力損失の大幅な削減が可能である ことから、自動車、鉄道、産業などの幅広い分野での利用 が検討されている。