真空遮断器の高周波消弧特性と機械式DCCBへの適用

摘要

強制消弧方式DCCBの主遮断部へのGCBおよびVCBの適用可能性を調査するため84/72kVのGCBおよびVCBを用いて，小電流および大電流遮断時における高周波消弧時の電流零点近傍のdi/dtを実測し，比較した。その結果，VCDについては数kA以上の大電流領域においては遮断電流値の増大によって高周波遮断可能なdi/dtが低下するが，その範囲は100A/μsから最大で約2.5kA/μsであり，また数100A以下の小電流領域においては100A/μs～300A/μs程度であることが確認され，これはGCBが遮断可能なdi/dt(数A/μs以下)に比べて高いことが分かった。したがって，直流遮断電流値に応じて，電流零点のdi/dtが適切な値となるように調整すれば，VCBを強制消弧方式DCCBの主遮断部として適用できると考えられる。