Si 基板上へのSr-Passivation 処理によるショットキー障壁の制御

摘要

この結果から、Si 基板をPassivation 処理することで表面にはSr イオンの析出が確認出来た。これによりC-V 特性の改善が見込まれる。現在、情報化社会が発達する中で処理速度の要であるMOS キャパシターに注目が集まっている。スケーリング則により薄膜化が限界である。性能を向上させる為に金属/半導体に存在する界面欠陥の改善を行う。基板表面にはダングリングボンドによる自然酸化物が形成されてしまう。そこで本研究では、成膜前の基板表面にPassivation 処理を施し、自然酸化物およびダングリングボンドの除去によりショットキー障壁の制御を検討した。