高周波パワートランスにおける損失抑制構造の検討

摘要

提案トランスに用いた構造は，漏れインダクタンスを小さく，励磁インダクタンスを大きくすることができる。これによって，漏れ磁束だけでなく主磁束も抑制することが可能となる。さらに，提案トランスにおいて，主磁束が負荷変動の影響を受けないこともわかった。これらの特性は，近接効果とこれに起因する巻線内の誘導電流（銅損の主原因である単一巻線中を交互に流れる電流(2)）を最小限に抑制できることを示している。現在，提案構造が有する寄生キャパシタンスについて，検討を行っている。