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InAs electron avalanche photodiodes with single carrier type multiplication and extremely low excess noise

机译：InAs电子雪崩光电二极管具有单载流子类型倍增和极低的过大噪声

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《LEOS Annual Meeting Conference Proceedings, 2008 IEEE》||P.296-297|共2页
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作者
Marshall A.R.J.; Tan C.H.; Steer M.J.; David J.P.R.;
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正文语种
中图分类工业技术;
关键词
入库时间 2022-08-26 13:51:31

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