Gallium arsenide; Silicon; Performance evaluation; Logic gates; FinFETs; Nanowires;
机译:垂直堆叠的全栅高应变锗纳米线pFET的首次演示
机译:硅,硅锗(Si_(0.7)Ge_(0.3))和应变硅锗(Si_(0.8)Ge_(0.2)/ Si_(0.5)Ge_(0.5))纳米线中自旋弛豫的直径依赖性
机译:用于光子集成电路的紧张锗纳米线光电器件
机译:深入研究高性能应变锗纳米线PFET
机译:硅(1-x)锗(x)/硅和硅/锗应变层超晶格的光致发光研究。
机译:双轴拉伸应变锗纳米线的理论研究
机译:从不锈钢直接种植锗纳米线:用于锂离子电池的高性能阳极