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共鳴硬X線光電子分光計測技術の進展と適用例

机译:共振硬X射线光电子能谱测量技术的进展与应用实例

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摘要

SPring-8 BL09XUで行われている共鳴硬X線光電子分光(HAXPES)計測技術を紹介する。本開発は固定入射エネルギーに限定されてきたHAXPES計測において、入射エネルギーの掃引を可能にし、内殻吸収過程を利用することで、元素軌道・原子価数選択性を付加することを目的としている。つまり、深さ約数十 nm までの固体内部の化学結合状態解析が可能であるという HAXPES の特徴に、通常の HAXPESには無い選択性を加えることで、埋もれた界面のより詳細な電子物性解析が可能である。また、通常の内殻吸収計測 (XAFS)と比べ、詳細に化学結合状態を解析できるという特徴を持つ。
机译:介绍在SPring-8 BL09XU上执行的共振硬X射线光电子能谱(HAXPES)测量技术。这项开发的目的是通过允许扫掠入射能量并利用HAXPES测量中的内壳吸收过程来增加元素轨道和化合价选择性,而HAXPES测量仅限于固定入射能量。换句话说,通过将普通HAXPES中未发现的选择性添加到HAXPES的特性中,可以分析固体内部的化学键状态,直至约几十纳米的深度,从而可以更详细地分析掩埋界面的电子性质。可以执行。此外,它具有的特点是,与常规的壳吸收测量(XAFS)相比,可以详细分析化学键的状态。

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