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InP 厚膜における楕円偏光Z-scan 法による3 次非線形感受率テンソル実部の測定精度向上の検討

机译:椭圆偏振Z扫描法在InP厚膜中提高三阶非线性磁化率张量实部测量精度的检验

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摘要

我々はこれまで、偏光状態を変えたZ-scan 法にてInP の3 次非線形感受率テンソルχ~((3))の、虚部及び実部を測定してきた。Re[χ~((3))] に起因する非線形屈折率_2 は、有限開口Z-scan法を用いて測定できる。我々は、InP のn_2 の評価精度の向上を目的として、測定条件の最適化を検討し、特定の条件で目標とする三桁程度の精度を達成した。そこで本研究では、楕円偏光Z-scan 法により、InP のRe[χ~((3))] を高精度にて求めることを目的とした。
机译:我们使用具有不同偏振态的Z扫描方法来获得InP的三阶非线性磁化率张量χ〜((3))。 我已经测量了虚部和实部。由于Re [χ〜((3))]引起的非线性折射率_2具有有限的孔径Z扫描。 可以使用该方法进行测量。为了提高InP n_2的评估精度,我们优化了测量条件。 并在特定条件下达到了约三位数的目标精度。因此,在这项研究中,椭圆偏振光 目的是通过Z扫描法高精度地获得InP的Re [χ〜((3))]。

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