埋め込みSiO_2光閉じ込め構造とn型導電性AlInN/GaN DBRを有するGaN系VCSEL

摘要

既に実用化されている赤外領域のGaAs系VCSELでは選択酸化法により電流狭窄をすると同時に非酸化部分と酸化部分の屈折率差により横方向の光閉じ込めを実現している。さらに,少なくとも下部n型導電性DBRによる縦型電流注入構造である。これらはGaAs系VCSELでは一般的であり、数10mW以上の出力が報告されている。近年、GaN系VCSELにおいても横方向光閉じ込め構造によって大幅な特性改善が報告されている。今回、我々は埋め込みSiO_2光閉じ込め構造とn型伝導AlInN/GaN DBRの双方を有するGaN系VCSELを作製し、評価した。